近日，在美國持續(xù)施壓對華禁運(yùn)關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)的情況下，荷蘭政府正準(zhǔn)備對半導(dǎo)體設(shè)備實施新的出口限制。荷蘭光刻機(jī)大廠ASML通過官網(wǎng)發(fā)布了《關(guān)于額外出口管制的聲明》，強(qiáng)調(diào)荷蘭政府的出口管制并不涉及所有浸沒式光刻設(shè)備，只涉及“最先進(jìn)”設(shè)備。

　　業(yè)內(nèi)人士表示，目前半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)空間廣闊，國產(chǎn)化進(jìn)程有望加速推進(jìn)。建議重點(diǎn)關(guān)注設(shè)備低國產(chǎn)化率環(huán)節(jié)的突破，檢測量測設(shè)備、涂膠顯影設(shè)備、PECVD設(shè)備等國產(chǎn)化率仍不足10%，海外多邊限制背景下國產(chǎn)替代訴求迫切，低國產(chǎn)化率環(huán)節(jié)有望迎來加速突破，給相關(guān)廠商該部分業(yè)務(wù)帶來強(qiáng)業(yè)績彈性。

　　事件驅(qū)動 荷蘭對光刻機(jī)出口進(jìn)一步限制

　　3月8日，荷蘭宣布正式加入美國在半導(dǎo)體行業(yè)中對中國的限制行列，同時荷蘭光刻機(jī)大廠ASML通過官網(wǎng)發(fā)布了 《關(guān)于額外出口管制的聲明》，強(qiáng)調(diào)荷蘭政府的出口管制并不涉及所有浸沒式光刻設(shè)備，只涉及“最先進(jìn)”設(shè)備。ASML將“最先進(jìn)”設(shè)備定義為TWINSCANNXT：2000i及之后的浸沒式光刻系統(tǒng)。

　　根據(jù)ASML官網(wǎng)，TWINSCANNXT：1980Di是管制之外制程較為先進(jìn)的光刻設(shè)備，可以滿足38nm以上的制程工藝，但實際理論上可以滿足14-28nm的工藝生產(chǎn)，只是步驟更為復(fù)雜，成本更高。對于國內(nèi)的晶圓廠來說，如果在荷蘭的限制之外，仍然能夠采購到滿足14-28nm工藝的光刻機(jī)設(shè)備，那么國產(chǎn)線的推進(jìn)仍舊可以繼續(xù)，晶圓廠的擴(kuò)張有望重回正軌。

　　根據(jù)2022年財報，2022年公司共出貨345臺光刻系統(tǒng)，其中有81臺浸沒式DUV光刻機(jī)(ArFi)，占比為23%。所有產(chǎn)品中，29%銷往韓國，14%銷往中國，銷往美國的只有7%。出口受到限制，ASML收入或?qū)⑹艿礁蓴_。

　　目前國內(nèi)大部分產(chǎn)線不受荷蘭光刻機(jī)出口限制影響。在中國與ASML有直接供應(yīng)關(guān)系的企業(yè)主要是芯片制造商，有中芯國際、華力半導(dǎo)體、長江存儲等中國企業(yè)，還有三星的西安工廠、臺積電南京廠、英特爾大連廠、無錫SK海力士廠等外資企業(yè)。根據(jù)公開報道，目前全國各地建設(shè)的半導(dǎo)體廠約有數(shù)百家，除了頭部的半導(dǎo)體廠，真正能用上浸潤式DUV的工廠并不多，整體的建設(shè)處于尚未形成規(guī)模效益的初期階段，月產(chǎn)能達(dá)到數(shù)十萬片晶圓的產(chǎn)線是非常少的。同時，這些產(chǎn)線不涉及先進(jìn)芯片，主要用于生產(chǎn)技術(shù)相對成熟的芯片。

　　光刻機(jī)是制造芯片的核心裝備，制造難度極大，國產(chǎn)光刻機(jī)仍較為落后。目前高端光刻機(jī)制造領(lǐng)域，全球只有少數(shù)幾家公司能掌握。

　　事件解讀 半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化亟待突破

　　光刻機(jī)是集成電路制造的核心設(shè)備之一，制造難度極高。光刻是決定集成電路集成度的核心工序，光刻即將電路圖形信息從掩模版上保真?zhèn)鬏�、轉(zhuǎn)印到半導(dǎo)體材料襯底上，其基本原理是，利用涂敷在襯底表面的光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)作用，記錄掩模版上的電路圖形，從而實現(xiàn)轉(zhuǎn)印的目的。

　　光刻機(jī)發(fā)展至今，經(jīng)歷了5代產(chǎn)品的迭代，已從最初的g-line，i-line歷經(jīng)KrF、ArF發(fā)展到了如今的EUV。全球TOP3光刻機(jī)廠商2021年銷量結(jié)構(gòu)中，EUV、i-line、ArFi、KrF、ArF、設(shè)備分別占比9%、32%、18%、36%、5%。

　　從技術(shù)角度看，光刻機(jī)等半導(dǎo)體設(shè)備存在較高的技術(shù)壁壘。半導(dǎo)體設(shè)備是由成千上萬的零部件組成的復(fù)雜系統(tǒng)，將成千上萬的零部件有機(jī)組合在一起實現(xiàn)精細(xì)至nm級別的操作;保障設(shè)備在nm級別的操作基礎(chǔ)上的超高良率;保障設(shè)備在實現(xiàn)以上兩個要求的基礎(chǔ)上長時間穩(wěn)定的運(yùn)行。因此，半導(dǎo)體設(shè)備尤其是光刻機(jī)，與半導(dǎo)體先進(jìn)制程的突破和良率的提升緊密相關(guān)，以光刻機(jī)為首的半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化亟待突破。

　　目前，半導(dǎo)體設(shè)備整體國產(chǎn)化率整體僅15%左右，在新型舉國體制背景下，下游晶圓廠有望加速導(dǎo)入國產(chǎn)設(shè)備，有以成本和良率換國產(chǎn)化率的可能，因此國產(chǎn)化率存在潛在超預(yù)期機(jī)會。整體來看，即使今年國內(nèi)資本開支受到外部設(shè)備管制的負(fù)面影響，但國產(chǎn)化率的加速提升有望對沖掉資本開支下行的負(fù)面影響，半導(dǎo)體設(shè)備廠商依然有望在今年迎來加速式成長。

　　2021年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)5950億美元，同比增長26.3%，未來5G及汽車電子化的發(fā)展，有望帶動半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入新的增長期，預(yù)計2026年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到7900億美元，維持6%左右的年均復(fù)合增速。晶圓制造材料包括硅片及硅材料、光掩膜、電子氣體、光刻膠及配套試劑、CMP拋光材料、工藝化學(xué)品及靶材等。從近幾年半導(dǎo)體材料、設(shè)備的需求占比來看，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移確實能帶動本地配套需求的提升，我國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模占全球的比重由2006年的6%提升到2020年的18%，半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模占全球比重也有望由2016年的16%提升到25%。內(nèi)資晶圓廠的崛起將帶動國內(nèi)半導(dǎo)體材料需求的提升，而高對外依存度將為國內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)提供更為廣闊的發(fā)展空間。